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mosfet与igbt区别
互补双极型场效应晶体管（MOSFET）和绝缘栅极反馈开关晶体管（IGBT）是两种常用的功率晶体管。
MOSFET具有较高的输入电阻，可以实现高效率的控制。
而IGBT有较低的输入电阻，可以提供较快的开关速度，同时具有高增益，高可靠性和低成本。
mos品牌产品介绍
mos管十大品牌
（一）mos管十大品牌-KIA
KIA半导体，全称是深圳市可易亚半导体科技有限公司。主营半导体产品丰富，是一家国产MOS管厂家。专业从事中、大、功率场效应管(MOSFET)、超结场效应管、碳化硅二极管、碳化硅场效应管、快速恢复二极管、三端稳压管开发设计，集研发、生产和销售为一体的国家高新技术企业。
（二）mos管十大品牌-英飞凌
mos管十大品牌之二英飞凌，英飞凌简介英飞凌科技公司于1999年4月1日在德国慕尼黑正式成立，至今在世界拥有35,600多名员工，2004财年公司营业额达71.9亿欧元，是全球领先的半导体公司之一。
（三）mos管十大品牌-东芝
东芝mos管（Toshiba），是日本最大的半导体制造商，也是第二大综合电机制造商，隶属于三井集团。
（四）mos管十大品牌-信安
信安半导体成立于2008年，属安联集团全资子公司，致力于大中华地区MOSFET产品销售，2009年安联集团投资韩国半导体DESIGN领域，同年收购韩国POWERSOLUSTION8英寸VD-MOS芯片工厂。
（五）mos管十大品牌-士兰微
杭州士兰微电子股份有限公司，是专业从事集成电路芯片设计以及半导体微电子相关产品生产的高新技术企业，公司现在的主要产品是集成电路和半导体产品。
（六）mos管十大品牌-ANPEC
茂达电子是台湾一家专门从事功率集成电路、混合信号集成电路和功率分立器件设计的集成电路设计公司。
主要产品种类包括电源管理IC、音频放大器IC、LCD控制器/驱动IC、霍尔效应IC和功率MOSFET，目前正扩展到通信IC和微控制器的应用。ANPEC的主要重点将是计算机、通信和消费者应用。
（七）mos管十大品牌-安森美
安森美半导体，是应用于高能效电子产品的首要高性能硅方案供应商。公司的产品系列包括电源和信号管理、逻辑、分立及定制器件，帮助客户解决他们在汽车、通信、计算机、消费电子、工业、LED照明、医疗、军事/航空及电源应用的独特设计挑战，既快速又符合高性价比。公司在北美、欧洲和亚太地区之关键市场运营包括制造厂、销售办事处及设计中心在内的世界一流、增值型供应链和网络
（八）mos管十大品牌-ST
ST是一家全球性半导体公司，成立于1987年6月，由SGS公司(意大利)和汤姆森半导体公司(法国)合并而成。1998年5月更名为ST微电子。一家领先的集成设备制造商，提供智能驾驶、智能工业、智能家居和城市以及智能产品的关键解决方案。
（九）mos管十大品牌-吉林华微
林华微电子股份有限公司是集功率半导体器件设计研发、芯片加工、封装测试及产品营销为一体的高新技术企业。
产品品牌主线：VDMOS、IGBT、FRED、SBD、BJT。
（十）mos管十大品牌-仙童
mos管十大品牌仙童，仙童公司是美国的一家半导体设计与制造公司，目前总部设在缅因州南波特兰，由美国企业家和发明家谢尔曼·费尔柴尔德（S.Fairchild）于1920年创办。
mos管雪崩击穿原理
当MOSFET漏极存在大电流Id，高电压Vd时，器件内电离作用加剧，出现大量的空穴电流，经Rb流入源极，导致寄生三极管基极电势Vb升高，出现所谓的“快回(Snap-back)”现象，即在Vb升高到一定程度时，寄生三极管V2导通，集电极（即漏极）电压快速返回达到晶体管基极开路时的击穿电压（增益很高的晶体管中该值相对较低），从而发生雪崩击穿。
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